Среда , 16 Октябрь 2019

«Швабе» усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода

«Швабе» усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода

МОСКВА, 22 июл — РИА Новости. Холдинг «Швабе» запатентовал
усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного
кремниевого фотодиода, сообщает пресс-служба холдинга.

Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод относится
к полупроводниковым приборам, чувствительным в видимой
и ближней инфракрасной области спектра.

«Швабе» усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода

МОСКВА, 22 июл — РИА Новости. Холдинг «Швабе» запатентовал
усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного
кремниевого фотодиода, сообщает пресс-служба холдинга.

Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод относится
к полупроводниковым приборам, чувствительным в видимой
и ближней инфракрасной области спектра.

«Разработанная оригинальная конструкция планарного
многоплощадочного кремниевого фотодиода играет роль датчика
в сканирующей системе отображения рельефа местности
при низком уровне освещенности. Подобные сканеры
устанавливаются на различные летательные и космические
аппараты», — говорится в пресс-релизе.

По словам разработчиков, модернизация конструкции позволила
существенно улучшить работу фотодиода, в частности,
уменьшить уровень темнового тока в устройстве, как в нормальных условиях, так и при повышенных температурах,
а также снизить неравномерность этих параметров
по различным площадкам изделия.

«В результате возрос показатель стабильности работы фотодиода
в целом», — отметили разработчики.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Яндекс.Метрика